N Stecker héich Muecht SPNT RF Schalter
Typ
● Héichkraaft SPNT Koaxialschalter
● Aarbechtsfrequenz: DC-12.4GHz / 18GHz
● RF Stecker: Weiblech N / SC Typ
● Reflexiv
RF Leeschtung
Héich Isolatioun: méi wéi 80 dB bei 6GHz, méi grouss wéi 70dB bei 12,4GHz;
Niddereg VSWR: manner wéi 1,3 bei 6GHz, manner wéi 1,5 bei 12,4GHz;
Niddereg Ins.less: manner wéi 0,3dB op 6GHz, manner wéi 0,5dB op 12,4GHz.
RF Retest Stabilitéit a méi laang Liewensdauer
Insertiounsverloscht widderhuelen Teststabilitéit: 0,02dB bei 6GHz, 0,03dB bei 12,4GHz;
Assuréieren 2 Millioune Mol Liewenszyklus (Single Channel Krees 2 Millioune Mol).
Operatiounsprinzip vum RF-Schalter
1. RF Admittance Level Switch adoptéiert dräi Terminal Cote - Shield Technologie fir den Afloss vu Materialien ze eliminéieren, déi op der Detektiounselektrode op de Kontrolleffekt hänken.Den Héichfrequenzsignal, deen am elektronesche Circuit generéiert gëtt, gëtt direkt op d'Detektiounselektrode op der enger Säit geschéckt an op d'Anti-Adhäsiounsschutzhülse duerch en RF Spannungsfolger op der anerer.Seng Gréisst a Phase sinn d'selwecht wéi d'Signal, déi un d'Sondstab bäigefüügt gëtt.Wann d'Materialien un d'Sond hänken, gëtt eng Kapazitéit tëscht der Schutzhülse an der Behältermauer geformt, sou datt den Héichfrequenzsignal, deen an d'Schutzhülse bäigefüügt gëtt, d'Kapazitéit saturéiert, sou datt den Héichfrequenzsignal op der Sonde net an d'Sond fléisst. Container Mauer duerch d'Klebstoff Schicht.Wann eng grouss Quantitéit vu Materialien am Container d'Sond kontaktéiert, wäert de Stroum op der Sonde d'Sättigungsgebitt ëmgoen an an d'Containermauer fléissen, sou datt d'Signal vun der Präsenz vu Materialien generéiert.
2. RF Admittance Level Switch benotzt Héichfrequenz Technologie fir e klengt Kraaft RF Signal op der Sonde aus dem elektronesche Circuit ze generéieren, an d'Sonde wierkt als Sensing Element fir d'Signalännerungen zréckzeféieren, déi duerch d'Dielektresch Konstant vum Niveau op den Niveau verursaacht ginn. elektronesch Circuit;Well dës Ännerungen d'Verännerunge vun der Kapazitéit an der Konduktioun enthalen, veraarbecht den elektronesche Circuit d'Reaktanz (Signal vun ëmfaassend Ännerungen vun der kapazitiver Reaktanz an der Impedanz) Signal.
3. D'Ännerung vun der Reaktanz verursaacht d'Phaseännerung vum Héichfrequenzsignal op der Pol.Dofir ännert sech och de Phasendifferenz tëscht dem Héichfrequenzsignal um Pol an dem Referenzsignal am elektronesche Circuit.Nodeems d'Ännerung veraarbecht ass, schéckt de Drive Output Circuit en Alarmsignal fir z'entdecken ob et Material am Silo ass.